Benutzeranleitung / Produktwartung CY7C1316JV18 des Produzenten Cypress Semiconductor
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18-Mbit DDR-II SRAM 2-W ord Burst Architecture CY7C1316JV18, CY7C1916JV18 CY7C1318JV18, CY7C1320JV18 Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Court • San Jose , CA 95134-1709 • 408-943-2600 Document Number: 001-15271 Rev .
CY7C1316JV18, CY7C1916JV18 CY7C1318JV18, CY7C1320JV18 Document Number: 001-15271 Rev . *B Page 2 of 26 Logic Block Diagram (CY7C1316JV18) Logic Block Diagram (CY7C1916JV18) Wri te Reg Wri te Reg CLK A (19:0) Gen. K K Control Logic Address Register Read Add.
CY7C1316JV18, CY7C1916JV18 CY7C1318JV18, CY7C1320JV18 Document Number: 001-15271 Rev . *B Page 3 of 26 Logic Block Diagram (CY7C1318JV18) Logic Block Diagram (CY7C1320JV18) Wri te Reg Wri te Reg CLK A (19:0) Gen. K K Control Logic Address Register Read Add.
CY7C1316JV18, CY7C1916JV18 CY7C1318JV18, CY7C1320JV18 Document Number: 001-15271 Rev . *B Page 4 of 26 Pin Configuration The pin configuration for CY7C1316JV18, CY7C1318 JV18, and CY7C1320JV18 follow .
CY7C1316JV18, CY7C1916JV18 CY7C1318JV18, CY7C1320JV18 Document Number: 001-15271 Rev . *B Page 5 of 26 CY7C1318JV18 (1 M x 18) 123456789 1 0 1 1 A CQ NC/72M A R/W BWS 1 K NC/14 4M LD A NC/36M CQ B NC .
CY7C1316JV18, CY7C1916JV18 CY7C1318JV18, CY7C1320JV18 Document Number: 001-15271 Rev . *B Page 6 of 26 Pin Definitions Pin Name IO Pin Descripti on DQ [x:0] Input Output- Synchronous Data Input Output Signals . Sampled on the rising edge of K and K clocks during valid write operations.
CY7C1316JV18, CY7C1916JV18 CY7C1318JV18, CY7C1320JV18 Document Number: 001-15271 Rev . *B Page 7 of 26 CQ Output Clock CQ is Referenced with Respect to C . This is a free running clock and is synchronized to the input cl ock for output data (C) of the DDR-II.
CY7C1316JV18, CY7C1916JV18 CY7C1318JV18, CY7C1320JV18 Document Number: 001-15271 Rev . *B Page 8 of 26 Functional Overview The CY7C1316JV18, CY7C191 6JV18, CY7C1318JV18, and CY7C1320JV18 are synchronous pipelined Burst SRAMs equipped with a DDR interface, which operates with a read latency of one and half cycles when DOFF pin is tied HIGH.
CY7C1316JV18, CY7C1916JV18 CY7C1318JV18, CY7C1320JV18 Document Number: 001-15271 Rev . *B Page 9 of 26 driver impedance. The value of RQ must be 5x the value of th e intended line impedance d riven by the SRAM. The allo wable range of RQ to guarantee impe dance matching with a to lerance of ±15% is between 175 Ω an d 350 Ω , with V DD Q =1 .
CY7C1316JV18, CY7C1916JV18 CY7C1318JV18, CY7C1320JV18 Document Number: 001-15271 Rev . *B Page 10 of 26 T ruth T able The truth table for the CY7C1316JV18, CY7C1 916JV1 8, CY7C1318JV18, and CY7C1320JV18 follow s.
CY7C1316JV18, CY7C1916JV18 CY7C1318JV18, CY7C1320JV18 Document Number: 001-15271 Rev . *B Page 1 1 of 26 Write Cycle Descriptions The write cycle description tabl e for CY7C1916JV18 follows. [2, 8] BWS 0 K K Comments L L–H – During the Data portion of a write sequence, the single byte (D [8:0] ) is written int o the de vi ce .
CY7C1316JV18, CY7C1916JV18 CY7C1318JV18, CY7C1320JV18 Document Number: 001-15271 Rev . *B Page 12 of 26 IEEE 1 149.1 Serial Boundary Scan (JT AG) These SRAMs incorporate a serial boundary scan T est Access Port (T AP) in the FBGA p ackage. This part is fully comp liant with IEEE S tandard #1 149.
CY7C1316JV18, CY7C1916JV18 CY7C1318JV18, CY7C1320JV18 Document Number: 001-15271 Rev . *B Page 13 of 26 IDCODE The IDCODE instruction loads a vendor-specific, 32-bi t code into the instruction re gister .
CY7C1316JV18, CY7C1916JV18 CY7C1318JV18, CY7C1320JV18 Document Number: 001-15271 Rev . *B Page 14 of 26 T AP Controller St ate Diag ram The state diagram for the T AP controller follows.
CY7C1316JV18, CY7C1916JV18 CY7C1318JV18, CY7C1320JV18 Document Number: 001-15271 Rev . *B Page 15 of 26 T AP Controller Block Diagram T AP Electrical Characteristics Over the Operating Range [10, 1 1, 12] Parameter Description T est Conditions Min Max Unit V OH1 Output HIGH V oltage I OH = − 2.
CY7C1316JV18, CY7C1916JV18 CY7C1318JV18, CY7C1320JV18 Document Number: 001-15271 Rev . *B Page 16 of 26 T AP AC Switching Characteristics Over the Operating Range [13, 14] Parameter Description Min Ma.
CY7C1316JV18, CY7C1916JV18 CY7C1318JV18, CY7C1320JV18 Document Number: 001-15271 Rev . *B Page 17 of 26 Identification R egi ster Definitions Instruction Field Va l u e Descriptio n CY7C1316JV18 CY7C1916JV18 CY7C1 318JV18 CY7C1320JV18 Revision Numb er (31:29) 001 001 001 001 V ersion number .
CY7C1316JV18, CY7C1916JV18 CY7C1318JV18, CY7C1320JV18 Document Number: 001-15271 Rev . *B Page 18 of 26 Boundary Scan Order Bit # Bump ID Bit # Bump ID Bit # Bump ID Bit # Bump ID 0 6R 28 10G 56 6A 84.
CY7C1316JV18, CY7C1916JV18 CY7C1318JV18, CY7C1320JV18 Document Number: 001-15271 Rev . *B Page 19 of 26 Power Up Sequence in DDR-II SRAM DDR-II SRAMs must be power ed up and initialized in a predefined manner to prevent unde fined operations. During power up, when th e DOFF is tied H IGH, the DLL is locked a fter 1024 cycles of st able clock.
CY7C1316JV18, CY7C1916JV18 CY7C1318JV18, CY7C1320JV18 Document Number: 001-15271 Rev . *B Page 20 of 26 Maximum Ratings Exceeding maximum ratings may shorte n the battery life of the device. User guidelines are not te ste d. S torage T emperature ....
CY7C1316JV18, CY7C1916JV18 CY7C1318JV18, CY7C1320JV18 Document Number: 001-15271 Rev . *B Page 21 of 26 Cap acit ance T ested initially and after any design or process change that may affect these parameters. Parameter Description T est Conditions Max Unit C IN Input Capacitance T A = 25 ° C, f = 1 MHz, V DD = 1.
CY7C1316JV18, CY7C1916JV18 CY7C1318JV18, CY7C1320JV18 Document Number: 001-15271 Rev . *B Page 22 of 26 Switching Characteristics Over the Operating Range [19] Cypress Parameter Consor tium Parameter Description 300 MHz Unit Min Max t POWER V DD (T ypical) to the first Access [20] 1– m s t CYC t KHKH K Clock and C Clock Cycle Time 3.
CY7C1316JV18, CY7C1916JV18 CY7C1318JV18, CY7C1320JV18 Document Number: 001-15271 Rev . *B Page 23 of 26 Switching W aveforms Figure 3. Read/Write/Deselect Sequence [2 4, 25, 26 ] READ READ READ NOP NO.
CY7C1316JV18, CY7C1916JV18 CY7C1318JV18, CY7C1320JV18 Document Number: 001-15271 Rev . *B Page 24 of 26 Ordering Information Not all of the speed, package and temperature ranges are ava ilable. Please contact your local sales representative or visit www .
CY7C1316JV18, CY7C1916JV18 CY7C1318JV18, CY7C1320JV18 Document Number: 001-15271 Rev . *B Page 25 of 26 Package Diagram Figure 4. 165-ball FBGA (13 x 15 x 1.40 mm), 51-85180 A 1 PIN 1 CORNER 15.00±0.10 13.00±0.10 7.00 1.00 Ø0.50 (165X) Ø 0 . 2 5MCAB Ø0.
Document Number: 001-15271 Rev . *B Revised March 10, 2008 Page 26 of 26 QDR RAMs an d Quad Data Rate RAMs comp rise a new family of product s develope d by Cypress, IDT , NEC, Renesas, and Samsung. All pr oduct and co mpany nam es mentioned i n this documen t are the tr ad emarks of their respe ctive hold ers.
Ein wichtiger Punkt beim Kauf des Geräts Cypress Semiconductor CY7C1316JV18 (oder sogar vor seinem Kauf) ist das durchlesen seiner Bedienungsanleitung. Dies sollten wir wegen ein paar einfacher Gründe machen:
Wenn Sie Cypress Semiconductor CY7C1316JV18 noch nicht gekauft haben, ist jetzt ein guter Moment, um sich mit den grundliegenden Daten des Produkts bekannt zu machen. Schauen Sie zuerst die ersten Seiten der Anleitung durch, die Sie oben finden. Dort finden Sie die wichtigsten technischen Daten für Cypress Semiconductor CY7C1316JV18 - auf diese Weise prüfen Sie, ob das Gerät Ihren Wünschen entspricht. Wenn Sie tiefer in die Benutzeranleitung von Cypress Semiconductor CY7C1316JV18 reinschauen, lernen Sie alle zugänglichen Produktfunktionen kennen, sowie erhalten Informationen über die Nutzung. Die Informationen, die Sie über Cypress Semiconductor CY7C1316JV18 erhalten, werden Ihnen bestimmt bei der Kaufentscheidung helfen.
Wenn Sie aber schon Cypress Semiconductor CY7C1316JV18 besitzen, und noch keine Gelegenheit dazu hatten, die Bedienungsanleitung zu lesen, sollten Sie es aufgrund der oben beschriebenen Gründe machen. Sie erfahren dann, ob Sie die zugänglichen Funktionen richtig genutzt haben, aber auch, ob Sie keine Fehler begangen haben, die den Nutzungszeitraum von Cypress Semiconductor CY7C1316JV18 verkürzen könnten.
Jedoch ist die eine der wichtigsten Rollen, die eine Bedienungsanleitung für den Nutzer spielt, die Hilfe bei der Lösung von Problemen mit Cypress Semiconductor CY7C1316JV18. Sie finden dort fast immer Troubleshooting, also die am häufigsten auftauchenden Störungen und Mängel bei Cypress Semiconductor CY7C1316JV18 gemeinsam mit Hinweisen bezüglich der Arten ihrer Lösung. Sogar wenn es Ihnen nicht gelingen sollte das Problem alleine zu bewältigen, die Anleitung zeigt Ihnen die weitere Vorgehensweise – den Kontakt zur Kundenberatung oder dem naheliegenden Service.
