Benutzeranleitung / Produktwartung 3SK318 des Produzenten Renesas
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Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 7 3SK318 Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier REJ03G0819-0200 (Previous ADE-208-6 00) Rev.2.00 Aug.10.2005 Features • Low noise characteristics; (NF= 1.4 dB typ. at f= 900 MHz) • Excellent cross m odulation c haracteristics • Capable low v oltage operati on; +B= 5V Outline 1.
3SK318 Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 2 of 7 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ° C) Item Symbol Ratings Unit Drain to source voltage V DS 6 V Gate1 to source voltage V G1S ±6 V Gate2 to source voltage V.
3SK318 Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 3 of 7 200 150 100 50 0 50 100 150 200 Channel Power Dissipation Pch (mW) Ambient Temperature Ta ( ° C) Maximum Channel Power Dissipation Curve 0 24 6 8 10 V G2S = 3 V Drain to Source Voltage V DS (V) Drain Current I D (mA) Typical Output Characteristics 4 8 12 16 20 0.
3SK318 Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 4 of 7 5 4 3 2 1 0 51 0 1 5 2 0 25 25 20 15 10 5 0 24 6 8 1 0 Drain Current I D (mA) Noise Figure NF (dB) Noise Figure vs. Drain Current Power Gain vs. Drain to Source Voltage Power Gain PG (dB) Drain to Source Voltage V DS (V) V DS = 3.
3SK318 Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 5 of 7 V DS = 3.5 V , V G2S = 3 V I D = 10mA V DS = 3.5 V , V G2S = 3 V I D = 10mA V DS = 3.5 V , V G2S = 3 V I D = 10mA V DS = 3.5 V , V G2S = 3 V I D = 10mA 10 5 4 3 2 1.5 1 .8 –2 –3 –4 –5 –10 .6 .4 .2 0 –.
3SK318 Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 6 of 7 S Parameter (V DS = 3.5V, V G2S = 3V, I D = 10mA, Zo = 50 Ω ) S11 S21 S12 S22 Freq. (MHz) MAG. ANG. MA G. ANG. MAG. ANG. MAG. A NG. 50 1.000 –2.8 2.41 176.3 0.00068 89.1 0.999 –2.2 100 0.998 –5.8 2.41 171.
3SK318 Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 7 of 7 Package Dimensions A S M x S y e e 2 b 1 A EH E L L 1 Q c D B B b AA b 1 b 3 c 1 c B-B Section Pattern of terminal position areas b 4 l 1 b 5 l 1 e 1 e 2 e A 3 L P S A A 2 A 1 A A 1 A 2 b b 1 c c 1 D E e H E L L P x y b 4 e 1 l 1 Q 0.
Keep safety first in your circuit designs! 1. Renesas Technology Corp. puts the maximum effort into making semiconductor products better and more reliable, but there is always the possibility that trouble may occur with them. Trouble with semiconductors may lead to personal injury, fire or property damage.
Ein wichtiger Punkt beim Kauf des Geräts Renesas 3SK318 (oder sogar vor seinem Kauf) ist das durchlesen seiner Bedienungsanleitung. Dies sollten wir wegen ein paar einfacher Gründe machen:
Wenn Sie Renesas 3SK318 noch nicht gekauft haben, ist jetzt ein guter Moment, um sich mit den grundliegenden Daten des Produkts bekannt zu machen. Schauen Sie zuerst die ersten Seiten der Anleitung durch, die Sie oben finden. Dort finden Sie die wichtigsten technischen Daten für Renesas 3SK318 - auf diese Weise prüfen Sie, ob das Gerät Ihren Wünschen entspricht. Wenn Sie tiefer in die Benutzeranleitung von Renesas 3SK318 reinschauen, lernen Sie alle zugänglichen Produktfunktionen kennen, sowie erhalten Informationen über die Nutzung. Die Informationen, die Sie über Renesas 3SK318 erhalten, werden Ihnen bestimmt bei der Kaufentscheidung helfen.
Wenn Sie aber schon Renesas 3SK318 besitzen, und noch keine Gelegenheit dazu hatten, die Bedienungsanleitung zu lesen, sollten Sie es aufgrund der oben beschriebenen Gründe machen. Sie erfahren dann, ob Sie die zugänglichen Funktionen richtig genutzt haben, aber auch, ob Sie keine Fehler begangen haben, die den Nutzungszeitraum von Renesas 3SK318 verkürzen könnten.
Jedoch ist die eine der wichtigsten Rollen, die eine Bedienungsanleitung für den Nutzer spielt, die Hilfe bei der Lösung von Problemen mit Renesas 3SK318. Sie finden dort fast immer Troubleshooting, also die am häufigsten auftauchenden Störungen und Mängel bei Renesas 3SK318 gemeinsam mit Hinweisen bezüglich der Arten ihrer Lösung. Sogar wenn es Ihnen nicht gelingen sollte das Problem alleine zu bewältigen, die Anleitung zeigt Ihnen die weitere Vorgehensweise – den Kontakt zur Kundenberatung oder dem naheliegenden Service.
