Benutzeranleitung / Produktwartung Flash Memory des Produzenten M-Systems Flash Disk Pioneers
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White Paper Implementing MLC NAND Flash for Cost-Effective, High-Capacity Memory Written by: Raz Dan and Rochelle Singer JANUARY 2003 91-SR-014-02-8L, REV 1.
Implementing MLC NAND Flash for Cost -Effective, High-Capacity Memory 91-SR-014-0 2-8L 2 Introduction Multi-Level Cell (MLC) technology greatly reduces flash die size to achieve a breakthrough cost structure. It does this by st oring 2 bits of data per physical cell in stead of the traditi onal 1 bit per cell, using Binary flash technology.
Implementing MLC NAND Flash for Cost -Effective, High-Capacity Memory 91-SR-014-0 2-8L 3 of NOR flash and achieving barely adequate reliability, but it has serious limita tions: its performance is far slower than standard NOR flash.
Implementing MLC NAND Flash for Cost -Effective, High-Capacity Memory 91-SR-014-0 2-8L 4 e - Oxide Floating Gate Select Gate Source Dr ain Substrate Progr am (Inject electrons) Erase (Remov e electron.
Implementing MLC NAND Flash for Cost -Effective, High-Capacity Memory 91-SR-014-0 2-8L 5 MLC Benefits and Limitations MLC high-density design innovations reduce the s ilicon die size, which is the major element contributing to overall device cost.
Implementing MLC NAND Flash for Cost -Effective, High-Capacity Memory 91-SR-014-0 2-8L 6 Read Disturb Errors The read disturb effect causes a page read operati on to induce a permanent, bit value change in one of the read bits. In Binary flash technology based on a 0.
Implementing MLC NAND Flash for Cost -Effective, High-Capacity Memory 91-SR-014-0 2-8L 7 Sustained Read When comparing sustained read performance values in real-world scenarios for Binary Flash with MLC, the gap lessens considerably : MLC performance is 98 percent of Binary flash performance.
Implementing MLC NAND Flash for Cost -Effective, High-Capacity Memory 91-SR-014-0 2-8L 8 Overcoming MLC Limitations Because MLC technology can potentially bring the industry breakth rough cost and siz.
Implementing MLC NAND Flash for Cost -Effective, High-Capacity Memory 91-SR-014-0 2-8L 9 Table 1 maps the various features of x2 technology agai nst the three major ar eas of MLC limitations that they overcome. The rem ainder of this se ction explains how each feature ach ieves these enhancements in Mobile DiskOnChip G3.
Implementing MLC NAND Flash for Cost -Effective, High-Capacity Memory 91-SR-014-0 2-8L 10 Enhanced EDC and ECC The Error Detection Code (EDC) and Error Corr ection Code (ECC) devel oped for x2 technology is based on M-Systems’ highly effective combinati on used in previous generation DiskOnChip products.
Implementing MLC NAND Flash for Cost -Effective, High-Capacity Memory 91-SR-014-0 2-8L 11 Efficient Bad Block Handling x2 technology handles bad blocks, which can be randomly present in flash m edia, by enabling unaligned block access to two planes. Bad blocks are mapped individually on each plane, as shown in Figure 4.
Implementing MLC NAND Flash for Cost -Effective, High-Capacity Memory 91-SR-014-0 2-8L 12 MultiBurst To improve MLC read performance rates, x2 te chnology incorporates a f eature called MultiBurst. MultiBurst enables parallel read acces s from two 16-bit planes to the flash contro ller, thereby achieving the desired output data rate for the host.
Implementing MLC NAND Flash for Cost -Effective, High-Capacity Memory 91-SR-014-0 2-8L 13 Parallel Multiplane Access As discussed earlier, the MLC flash media is built of two planes that can operate in parallel. This architecture is one of the most powerful, x2 technology innovations, doubli ng read, write and erase performance.
Implementing MLC NAND Flash for Cost -Effective, High-Capacity Memory 91-SR-014-0 2-8L 14 How to Contact Us Website: http://www.m-sys.com General Information: info@m-sys.com Technical Information: techsupport@m-sys.com USA M-Systems Inc. 8371 Central Ave, Suite A Newark CA 94560 Phone: +1-510-494-2090 Fax: +1-510-494-5545 Taiwan M-Systems Asia Ltd.
Ein wichtiger Punkt beim Kauf des Geräts M-Systems Flash Disk Pioneers Flash Memory (oder sogar vor seinem Kauf) ist das durchlesen seiner Bedienungsanleitung. Dies sollten wir wegen ein paar einfacher Gründe machen:
Wenn Sie M-Systems Flash Disk Pioneers Flash Memory noch nicht gekauft haben, ist jetzt ein guter Moment, um sich mit den grundliegenden Daten des Produkts bekannt zu machen. Schauen Sie zuerst die ersten Seiten der Anleitung durch, die Sie oben finden. Dort finden Sie die wichtigsten technischen Daten für M-Systems Flash Disk Pioneers Flash Memory - auf diese Weise prüfen Sie, ob das Gerät Ihren Wünschen entspricht. Wenn Sie tiefer in die Benutzeranleitung von M-Systems Flash Disk Pioneers Flash Memory reinschauen, lernen Sie alle zugänglichen Produktfunktionen kennen, sowie erhalten Informationen über die Nutzung. Die Informationen, die Sie über M-Systems Flash Disk Pioneers Flash Memory erhalten, werden Ihnen bestimmt bei der Kaufentscheidung helfen.
Wenn Sie aber schon M-Systems Flash Disk Pioneers Flash Memory besitzen, und noch keine Gelegenheit dazu hatten, die Bedienungsanleitung zu lesen, sollten Sie es aufgrund der oben beschriebenen Gründe machen. Sie erfahren dann, ob Sie die zugänglichen Funktionen richtig genutzt haben, aber auch, ob Sie keine Fehler begangen haben, die den Nutzungszeitraum von M-Systems Flash Disk Pioneers Flash Memory verkürzen könnten.
Jedoch ist die eine der wichtigsten Rollen, die eine Bedienungsanleitung für den Nutzer spielt, die Hilfe bei der Lösung von Problemen mit M-Systems Flash Disk Pioneers Flash Memory. Sie finden dort fast immer Troubleshooting, also die am häufigsten auftauchenden Störungen und Mängel bei M-Systems Flash Disk Pioneers Flash Memory gemeinsam mit Hinweisen bezüglich der Arten ihrer Lösung. Sogar wenn es Ihnen nicht gelingen sollte das Problem alleine zu bewältigen, die Anleitung zeigt Ihnen die weitere Vorgehensweise – den Kontakt zur Kundenberatung oder dem naheliegenden Service.
