Benutzeranleitung / Produktwartung nvSRAM des Produzenten Cypress
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PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N 2 Mbit (256K x 8/128K x 16) nvSRAM Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Court • San Jose , CA 95134-1709 • 408-943-2600 Document #: 001-45754 Rev .
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 2 of 24 Pinout s Figure 1. Pin Diagram - 48 FBG A Figure 2. Pin Diag ram - 44 Pin TSOP II 48-FBGA (not to scale) Top View (x8) 48-F.
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 3 of 24 Figure 3. Pin Diagram - 54 Pi n TSOP II (x16) Pin Definitions Pin Name IO T ype Description A 0 – A 17 Input Address Inputs Used to Select one of the 262,144 bytes of the nvSRAM for x8 Co nfiguration .
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 4 of 24 Device Operation The CY14B102L/CY1 4B102N nvSRAM is made up of two functional components paired in the same physical cell. They are an SRAM memory cell and a nonvola tile QuantumTrap cell.
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 5 of 24 completion of the STORE operation, the CY14B102L/CY14B102N remains disab led until the HSB pin returns HIGH.
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 6 of 24 Preventing AutoStore The AutoS t ore function is disabled by initiating an AutoS tore disable sequence. A sequence of read ope rations is performed in a manner similar to the software STORE initiation.
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 7 of 24 Maximum Ratin gs Exceeding maximum ratings may impair the useful life of the device. These user guid elines are not tested. S torage T emperature .......... .................
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 8 of 24 AC T est Conditions Input Pulse Levels ......... ............... .............. .............. 0V to 3V Input Rise and Fall T imes (10% - 90%)...... .............. .... < 3 ns Input and Output T iming Reference Levels .
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 9 of 24 AC Switching Characteristics Parameters Description 20 ns 25 ns 45 ns Unit Cypress Parameters Alt Parameters Min Max Min Ma.
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 10 of 24 Figure 7. SRAM Read Cycl e #2: CE and OE Controlled [3, 15, 19] Figure 8.
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 1 1 of 24 Figure 9. SRAM Write Cycle #2: CE Controlled [3 , 18, 19, 20] Figure 10.
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 12 of 24 AutoStore/Power Up RECALL Parameters Descrip tion 20 ns 25 ns 45 ns Unit Min Max Min Max Min Max t HRECALL [21] Power Up R.
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 13 of 24 Sof tware Controlled STORE/RECALL Cycle In the following table, the so ftware c o ntrolled STORE/RECALL cycle p arameters are listed.
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 14 of 24 Hardware STORE Cycle Parameters Descrip tion 20 ns 25 ns 45 ns Unit Min Max Min Max Min Max t DHSB HSB T o Outp ut Active .
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 15 of 24 T ruth T able For SRAM Operations HSB should remain HIGH for SRAM Operations.
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 16 of 24 Ordering Information Speed (ns) Ordering Code Package Diagram Package T yp e Operating Range 20 CY14B102L-ZS20XCT 51-85087.
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 17 of 24 25 CY14B102L-ZS25XCT 51-85087 44-pin TSOP II Commercial CY14B102L-ZS25XIT 51-85087 44-p in TSOP II Industrial CY14B102L-ZS.
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 18 of 24 45 CY14B102L-ZS45XCT 51-85087 44-pin TSOP II Commercial CY14B102L-ZS45XIT 51-85087 44-p in TSOP II Industrial CY14B102L-ZS.
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 19 of 24 Part Numbering Nomenclature Option: T - T ape & Reel Blank - S td. S peed: 20 - 20ns 45 - 45 ns Data Bus : L - x8 N - x16 Density: 102 - 2 Mb V oltage: B - 3.
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 20 of 24 Package Diagrams Figure 16. 44-Pin TSOP II (51-85087) MAX MIN. DIMENSION IN MM (INCH) 11.938 (0.470) PLANE SEATING PIN 1 I.D. 44 1 18.517 (0.729) 0.800 BSC 0° -5° 0.400(0.
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 21 of 24 Figure 17. 48 -Ball FBGA - 6 mm x 10 m m x 1.2 mm (51 -85128) Package Diagrams (continued) A 1 A1 CORNER 0.75 0.75 Ø0.30±0.05(48X) Ø0.25 M C A B Ø0.05 M C B A 0.15(4X) 0.
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 22 of 24 Figure 18. 54-Pin TSOP II (51-85160) Package Diagrams (continued) 51-85160 -** [+] Feedback.
PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 23 of 24 Document History Page Document Title: CY14B102L/CY14B102N 2 Mbit (256K x 8/128K x 16) nvSRAM Document Number: 001-45754 Rev .
Document #: 001-45754 Rev . *B Revised November 10, 2008 Page 24 of 24 AutoS tore and QuantumT rap are registe red trademarks of Simtek Co rporation. All product s and company name s mentioned in this doc ument are the tr ademarks of thei r respective hol ders.
Ein wichtiger Punkt beim Kauf des Geräts Cypress nvSRAM (oder sogar vor seinem Kauf) ist das durchlesen seiner Bedienungsanleitung. Dies sollten wir wegen ein paar einfacher Gründe machen:
Wenn Sie Cypress nvSRAM noch nicht gekauft haben, ist jetzt ein guter Moment, um sich mit den grundliegenden Daten des Produkts bekannt zu machen. Schauen Sie zuerst die ersten Seiten der Anleitung durch, die Sie oben finden. Dort finden Sie die wichtigsten technischen Daten für Cypress nvSRAM - auf diese Weise prüfen Sie, ob das Gerät Ihren Wünschen entspricht. Wenn Sie tiefer in die Benutzeranleitung von Cypress nvSRAM reinschauen, lernen Sie alle zugänglichen Produktfunktionen kennen, sowie erhalten Informationen über die Nutzung. Die Informationen, die Sie über Cypress nvSRAM erhalten, werden Ihnen bestimmt bei der Kaufentscheidung helfen.
Wenn Sie aber schon Cypress nvSRAM besitzen, und noch keine Gelegenheit dazu hatten, die Bedienungsanleitung zu lesen, sollten Sie es aufgrund der oben beschriebenen Gründe machen. Sie erfahren dann, ob Sie die zugänglichen Funktionen richtig genutzt haben, aber auch, ob Sie keine Fehler begangen haben, die den Nutzungszeitraum von Cypress nvSRAM verkürzen könnten.
Jedoch ist die eine der wichtigsten Rollen, die eine Bedienungsanleitung für den Nutzer spielt, die Hilfe bei der Lösung von Problemen mit Cypress nvSRAM. Sie finden dort fast immer Troubleshooting, also die am häufigsten auftauchenden Störungen und Mängel bei Cypress nvSRAM gemeinsam mit Hinweisen bezüglich der Arten ihrer Lösung. Sogar wenn es Ihnen nicht gelingen sollte das Problem alleine zu bewältigen, die Anleitung zeigt Ihnen die weitere Vorgehensweise – den Kontakt zur Kundenberatung oder dem naheliegenden Service.
